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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.79 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 15 V |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| NE6500379A | CEL |
功能相似  |
3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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| NE5520279A | NEC |
功能相似 |
NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FLL357ME | EUDYNA |
获取价格 |
L-Band Medium & High Power GaAs FET |
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| FLL400IK-2 | EUDYNA |
获取价格 |
High Voltage - High Power GaAs FET |
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| FLL400IK-2C | EUDYNA |
获取价格 |
High Voltage - High Power GaAs FET |
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| FLL400IP-2 | EUDYNA |
获取价格 |
L-Band Medium & High Power GaAs FET |
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| FLL400IP-3 | ETC |
获取价格 |
L-Band Medium & High Power GaAs FET |
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| FLL410IK-3C | EUDYNA |
获取价格 |
L-Band High Power GaAs FET |
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| FLL410IK-4C | FUJITSU |
获取价格 |
L-Band High Power GaAs FET |
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| FLL55MK | FUJITSU |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| FLL57MK | EUDYNA |
获取价格 |
L-Band Medium & High Power GaAs FET |
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| FLL600IQ-2 | FUJITSU |
获取价格 |
Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB ope |
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