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FLL55MK

更新时间： 2024-02-25 06:11:56

品牌	Logo	应用领域
富士通 - FUJITSU		局域网放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	221K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

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FLL55MK 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.81
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	15 V
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

FLL55MK 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FLL57MK	EUDYNA	L-Band Medium & High Power GaAs FET	获取价格
FLL600IQ-2	FUJITSU	Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB ope	获取价格
FLL600IQ-2C	EUDYNA	L-Band High Power GaAs FET	获取价格
FLL600IQ-3	EUDYNA	L-Band Medium & High Power GaAs FET	获取价格
FLL800IQ-2C	FUJITSU	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction	获取价格
FLL810IQ-3C	EUDYNA	L-Band High Power GaAs FET	获取价格

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