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FLLD258

更新时间: 2024-11-13 22:31:59
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页数 文件大小 规格书
2页 114K
描述
SILICON PLANAR LOW LEAKAGE COMMON CATHODE DIODE PAIR

FLLD258 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.38Is Samacsys:N
其他特性:LOW LEAKAGE CURRENT配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.4 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:3 A元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:0.25 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE最大功率耗散:0.33 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向电流:0.003 µA最大反向恢复时间:0.4 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

FLLD258 数据手册

 浏览型号FLLD258的Datasheet PDF文件第2页 
SOT23 SILICON PLANAR LOW LEAKAGE  
COMMON CATHODE DIODE PAIR  
FLLD258  
ISSUE 2 – SEPTEMBER 1995  
1
2
1
3
2
3
SOT23  
PART MARKING DETAIL – D58  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF(AV)  
VALUE  
UNIT  
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
100  
250  
mA  
A
IFSM  
3.0  
Non-Repetitive Peak Forward Current (t=1µs)  
Power Dissipation at Tamb = 25°C  
Ptot  
330  
mW  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
MAX.  
UNIT CONDITIONS.  
Reverse Current  
IR  
3
5
nA  
µA  
VRRM=50V  
VRRM=100V, Tamb=150°C  
IF= IR=50 – 400mA  
IF=10mA  
Reverse Recovery Time*  
Forward Recovery Time  
Diode Capacitance  
trr  
tfr  
Cd  
400  
10  
4
ns  
ns  
pF  
VR=1V, f=1MHz  
Forward Overshoot Voltage Vfr  
Typ  
0.9  
IF=10mA,  
Rise time=5ns ±20%  
V
V
Forward Voltage  
VF  
1.4  
IF=-200mA  
*Time for IR to recover to 10% of IR peak  
For typical characteristics graphs see FLLD263 datasheet.  
3 - 96  

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