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FLL800IQ-2C PDF预览

FLL800IQ-2C

更新时间： 2024-01-06 07:50:32
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 123K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, CASE IQ, 5 PIN

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FLL800IQ-2C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (ID)：15 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FLL800IQ-2C 数据手册

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FLL800IQ-2C  
L-Band High Power GaAs FET  
FEATURES  
• Push-Pull Configuration  
• High Power Output: 80W (Typ.)  
• High PAE: 50% (Typ.)  
• Broad Frequency Range: 2100 to 2200 MHz.  
• Suitable for class AB operation.  
DESCRIPTION  
The FLL800IQ-2C is a 80 Watt GaAs FET that employs a push-pull design that  
offers ease of matching, greater consistency and a broader bandwidth for high  
power L-band amplifiers. This product is targeted to reduce the size and  
complexity of highly linear, high power base station transmitting amplifiers.  
This new product is uniquely suited for use in W-CDMA and IMT 2000 base  
station amplifiers as it offers high gain, long term reliability and ease of use.  
APPLICATIONS  
• Solid State Base-Station Power Amplifier.  
• W-CDMA and IMT 2000 Communication Systems.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Rating  
Unit  
15  
-5  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
V
V
V
V
DS  
GS  
Tc = 25°C  
136  
P
W
°C  
°C  
T
T
stg  
-65 to +175  
+175  
T
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 12 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 176 and -51.8 mA respectively with  
gate resistance of 10Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 145°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25°C)  
Limits  
Typ.  
Item  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
I
= 5V, V = 0V  
I
A
V
Drain Current  
-
8
-
DS  
GS  
DSS  
Pinch-Off Voltage  
V
= 5V, I = 220mA -0.1  
-0.3 -0.5  
p
DS  
DS  
V
= -2.2mA  
Gate-Source Breakdown Voltage  
-5  
-
-
-
V
dBm  
dB  
GSO  
GS  
P
Output Power  
Linear Gain  
48.0 49.0  
out  
V
= 12V  
DS  
10.0  
GL  
11.0  
11.5  
50  
-
f = 2.17 GHz  
= 2.0A  
I
DS  
-
-
-
15  
-
A
Drain Current  
I
DSR  
Pin = 40.0dBm  
η
%
Power-Added Efficiency  
Thermal Resistance  
CASE STYLE: IU  
add  
Channel to Case  
0.8  
1.1  
°C/W  
R
th  
Edition 1.0  
February 2000  
1
1234

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