FLLD261

更新时间： 2024-02-20 18:30:15

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描述
SILICON PLANAR LOW LEAKAGE SERIES DIODE PAIR

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FLLD261 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.39
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	最大输出电流：	0.25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.33 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.4 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

FLLD261 数据手册

SOT23 SILICON PLANAR LOW LEAKAGE

SERIES DIODE PAIR

FLLD261

ISSUE 2 SEPTEMBER 1995

✪

DIODE PIN CONNECTION

SOT23

PART MARKING DETAIL P8A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_RRM

I_F(AV)

VALUE

UNIT

Repetitive Peak Reverse Voltage

Average Rectified Forward Current

Non-Repetitive Peak Forward Current (t=1µs)

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Operating and Storage Temperature Range

100

250

I_FSM

3.0

P_tot

330

°C

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN.

MAX.

UNIT CONDITIONS.

Reverse Current

I_R

µA

V_RRM=100V

V_RRM=100V, T_amb=150°C

I_F= I_R=50 400mA

I_F=10mA

Reverse Recovery Time*

Forward Recovery Time

Diode Capacitance

t_rr

t_fr

C_d

400

V_R=1V, f=1MHz

Forward Overshoot Voltage V_fr

Typ

0.9

I_F=10mA,

Rise time=5ns ±20%

Forward Voltage

V_F

1.4

I_F=-200mA

*Time for I_Rto recover to 10% of I_Rpeak

For typical characteristics graphs see FLLD263 datasheet.

3 - 97

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