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FLL600IQ-2C

更新时间： 2024-11-14 02:52:03
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EUDYNA 晶体晶体管放大器局域网
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4页 121K
描述
L-Band High Power GaAs FET

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FLL600IQ-2C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (ID)：13 A
FET 技术：JUNCTION最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FLL600IQ-2C 数据手册

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FLL600IQ-2C  
L-Band High Power GaAs FET  
FEATURES  
• Push-Pull Configuration  
• High Power Output: 60W (Typ.)  
• High PAE: 51% (Typ.)  
• Broad Frequency Range: 2100 to 2200 MHz.  
• Suitable for class AB operation.  
DESCRIPTION  
The FLL600IQ-2C is a 60 Watt GaAs FET that employs a push-pull design that  
offers ease of matching, greater consistency and a broader bandwidth for high  
power L-band amplifiers. This product is targeted to reduce the size and  
complexity of highly linear, high power base station transmitting amplifiers.  
This new product is uniquely suited for use in W-CDMA and IMT 2000 base  
station amplifiers as it offers high gain, long term reliability and ease of use.  
APPLICATIONS  
• Solid State Base-Station Power Amplifier.  
• W-CDMA and IMT 2000 Communication Systems.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Rating  
Unit  
15  
-5  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
V
V
V
V
DS  
GS  
Tc = 25°C  
125  
P
W
°C  
°C  
T
T
stg  
-65 to +175  
+175  
T
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 12 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 117 and -35.4 mA respectively with  
gate resistance of 10Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 145°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25°C)  
Limits  
Typ.  
Item  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
I
= 5V, V = 0V  
I
A
V
Drain Current  
-
6
-
DS  
GS  
DSS  
Pinch-Off Voltage  
V
p
= 5V, I = 151mA -0.1  
-0.3 -0.5  
DS  
DS  
V
= -1.51mA  
Gate-Source Breakdown Voltage  
-5  
-
-
-
V
dBm  
dB  
GSO  
GS  
P
Output Power  
Linear Gain  
47.0 48.0  
out  
V
DS  
= 12V  
11.0  
GL  
12.0  
9
-
f = 2.17 GHz  
= 1.5A  
I
DS  
-
-
-
13  
-
A
Drain Current  
I
DSR  
Pin = 39dBm  
η
51  
%
Power-Added Efficiency  
Thermal Resistance  
CASE STYLE: IU  
add  
Channel to Case  
0.8  
1.2  
°C/W  
R
th  
Edition 1.0  
February 2000  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		L-Band High Power GaAs FET
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