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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> NE5520279A
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NE5520279A

更新时间： 2024-09-22 22:35:03
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体射频场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
7页 167K
描述
NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET

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NE5520279A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：79A, 4 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.67Is Samacsys：N
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：6 V最大漏极电流 (ID)：1 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-XQMW-F4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NE5520279A 数据手册

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NEC'S 3.2 V, 2 W, L&S BAND  
MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET  
NE5520279A  
FEATURES  
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)  
• LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE:  
5.7x5.7x1.1 mm MAX  
• HIGH OUTPUT POWER:  
+32 dBm TYP  
PACKAGE OUTLINE 79A  
(Bottom View)  
4.ꢀ1MAX.  
Source  
ꢁ.5 0.ꢀ  
Source  
• HIGH LINEAR GAIN:  
Gate  
Drain  
Gate  
Drain  
10 dB TYP @ 1.8 GHz  
• HIGH POWER ADDED EFFICIENCY:  
45% TYP at 1.8 GHz  
• SINGLE SUPPLY:  
2.8 to 6.0 V  
0.4 0.ꢁ5  
5.71MAX.  
0.81MAX.  
3.6 0.ꢀ  
DESCRIPTION  
APPLICATIONS  
NEC's NE5520279A is an N-Channel silicon power laterally  
diffused MOSFET specially designed as the power ampliÞer  
for mobile and Þxed wireless applications. Die are manu-  
factured using NEC's NEWMOS technology (NEC's 0.6 µm  
WSi gate lateral MOSFET) and housed in a surface mount  
package.  
• DIGITAL CELLULAR PHONES:  
3.2 V DCS1800 Handsets  
• 0.7-2.5 GHz FIXED WIRELESS ACCESS  
• W-LAN  
• SHORT RANGE WIRELESS  
• RETAIL BUSINESS RADIO  
• SPECIAL MOBILE RADIO  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER  
NE5520279A  
79A  
PACKAGE OUTLINE  
SYMBOLS  
POUT  
GL  
CHARACTERISTICS  
UNITS  
dBm  
dB  
%
mA  
nA  
MIN  
TYP  
32.0  
10  
45  
800  
MAX  
TEST CONDITIONS  
Output Power  
Linear Gain  
Power Added EfÞciency  
Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
30.5  
f = 1.8 GHz, VDS = 3.2 V,  
IDSQ = 700 mA, PIN = 25 dBm, except  
PIN = 5 dBm for Linear Gain  
ηADD  
ID  
40  
IGSS  
100  
100  
VGS = 5.0 V  
VDS = 6.0 V  
IDSS  
Saturated Drain Current  
(Zero Gate Voltage Drain Current)  
nA  
VTH  
gm  
Gate Threshold Voltage  
Transconductance  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Thermal Resistance  
V
S
V
1.0  
15  
1.4  
1.3  
18  
1.9  
VDS = 3.5 V, IDS = 1 mA  
VDS = 3.5 V, IDS = 700 mA  
IDSS = 10 µA  
BVDSS  
RTH  
°C/W  
8
Channel-to-Case  
Notes:  
1. DC performance is 100% testing. RF performance is testing several samples per wafer.  
Wafer rejection criteria for standard devices is 1 reject for several samples.  
2. Pin = 5 dBm  
California Eastern Laboratories  
1234567

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