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NE5521D

更新时间： 2024-11-10 22:45:23
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 转换器位置转换器调节器光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 73K
描述
LVDT signal conditioner

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NE5521D 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：16
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.81
Is Samacsys：N其他特性：IT CAN ALSO OPERATE FROM A +/-2.5V TO +/-10V SUPPLY
转换器类型：SIGNAL CONDITIONERJESD-30 代码：R-PDSO-G16
长度：10.3 mm功能数量：1
端子数量：16最高工作温度：70 °C
最低工作温度：封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm信号/输出频率：20000 Hz
最大供电电压：20 V最小供电电压：5 V
标称供电电压：10 V表面贴装：YES
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

NE5521D 数据手册

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Philips Semiconductors Linear Products  
Product specification  
LVDT signal conditioner  
NE/SA/SE5521  
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATIONS  
The NE/SA/SE5521 is a signal conditioning circuit for use with  
Linear Variable Differential Transformers (LVDTs) and Rotary  
Variable Differential Transformers (RVDTs). The chip includes a low  
distortion, amplitude-stable sine wave oscillator with programmable  
frequency to drive the primary of the LVDT/RVDT, a synchronous  
demodulator to convert the LVDT/RVDT output amplitude and phase  
to position information, and an output amplifier to provide  
amplification and filtering of the demodulated signal.  
F, N Packages  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
AMP OUT  
+IN  
18 V+  
17  
16  
15  
C
V
T
–IN  
REF  
LVDT IN  
FEEDBACK  
DEMOD OUT  
14 OSC  
13 OSC  
SYNC  
GND  
N.C.  
12  
11  
10  
V
REF/2  
FEATURES  
• Low distortion  
R
T
N.C.  
N.C.  
• Single supply 5V to 20V, or dual supply ±2.5V to ±10V  
• Oscillator frequency 1kHz to 20kHz  
TOP VIEW  
1
• Capable of ratiometric operation  
D Package  
• Low power consumption (182mV typ)  
AMP OUT  
+IN  
V+  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
C
T
–IN  
APPLICATIONS  
V
REF  
LVDT IN  
13 FEEDBACK  
• LVDT signal conditioning  
DEMOD OUT  
OSC  
12  
• RVDT signal conditioning  
• LPDT signal conditioning  
• Bridge circuits  
SYNC  
GND  
N.C.  
OSC  
11  
10  
9
V
REF/2  
R
T
TOP VIEW  
NOTE:  
1. SOL — released in large SO package only.  
ORDERING INFORMATION  
DESCRIPTION  
TEMPERATURE RANGE  
0 to +70°C  
ORDER CODE  
NE5521N  
NE5521D  
SA5521N  
SE5521F  
DWG #  
0407A  
0171B  
0407A  
0583A  
0582B  
18-Pin Plastic Dual In-Line Package (DIP)  
16-Pin Small Outline Large (SOL) Package  
18-Pin Plastic Dual In-Line Package (DIP)  
18-Pin Ceramic Dual In-Line Package (CERDIP)  
16-Pin Ceramic Dual In-Line Package (CERDIP)  
0 to +70°C  
–40 to +85°C  
–55 to +125°C  
–40 to +85°C  
SA5521D  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
SYMBOL  
PARAMETER  
RATING  
UNIT  
V
V
CC  
Supply voltage  
+20  
Split supply voltage  
±10  
V
Operating temperature range  
NE5521  
SA5521  
SE5521  
0 to 70  
–40 to +85  
–55 to +125  
°C  
°C  
°C  
T
A
T
Storage temperature range  
–65 to +125  
910  
°C  
STG  
1
P
Power dissipation  
mW  
D
NOTES:  
1. For derating, see typical power dissipation versus load curves (Figure 1).  
901  
August 31, 1994  
853-0043 13721  
12345

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与NE5521D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NE5521D-T ETC

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 		LVDT Conditioner
NE5521F NXP

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 		IC SIGNAL CONDITIONER, CDIP18, CERDIP-18, Position Converter
NE5521K0+/-.25% VISHAY

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 		Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 21000ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
NE5521N NXP

获取价格

 		LVDT signal conditioner
NE552R479A CEL

获取价格

 		NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
NE552R479A-T1 RENESAS

获取价格

 		S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 79A, 4 PIN
NE552R479A-T1 NEC

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
NE552R479A-T1A NEC

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