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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP8,.3 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.89 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 频率补偿： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 | JESD-609代码： | e0 |
| 低-失调： | NO | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | +-15 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称压摆率： | 25 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | BIPOLAR | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 最小电压增益： | 25000 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE5530N-14-B | PHILIPS |
获取价格 |
Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, PDIP14 |
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| NE5530N-14SIIA | PHILIPS |
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Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, PDIP14 |
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| NE5530N-A | PHILIPS |
获取价格 |
Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, PDIP8 |
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| NE5530N-B | PHILIPS |
获取价格 |
Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, PDIP8 |
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| NE5530NSIIB | PHILIPS |
获取价格 |
Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, PDIP8 |
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| NE5530T | NXP |
获取价格 |
IC OP-AMP, MBCY8, Operational Amplifier |
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| NE5531079A | CEL |
获取价格 |
7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS |
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| NE5531079A | RENESAS |
获取价格 |
7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS |
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| NE5531079A-A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| NE5531079A-A | RENESAS |
获取价格 |
NE5531079A-A |
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