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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK | 频率补偿： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 | JESD-609代码： | e0 |
| 低-失调： | NO | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 电源： | +-15 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称压摆率： | 25 V/us |
| 子类别： | Operational Amplifiers | 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 最小电压增益： | 25000 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE5530N-B | PHILIPS |
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Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, PDIP8 |
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| NE5530NSIIB | PHILIPS |
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Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, PDIP8 |
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| NE5530T | NXP |
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IC OP-AMP, MBCY8, Operational Amplifier |
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| NE5531079A | CEL |
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7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS |
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| NE5531079A | RENESAS |
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7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS |
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| NE5531079A-A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| NE5531079A-A | RENESAS |
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NE5531079A-A |
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| NE5531079A-A | CEL |
获取价格 |
7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS |
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| NE5531079A-T1 | CEL |
获取价格 |
7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS |
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| NE5531079A-T1 | RENESAS |
获取价格 |
7.5 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR UHF-BAND 10 W TRANSMISSION AMPLIFIERS |
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