5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE5521F | NXP |
获取价格 |
IC SIGNAL CONDITIONER, CDIP18, CERDIP-18, Position Converter |
|
| NE5521K0+/-.25% | VISHAY |
获取价格 |
Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 21000ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, |
|
| NE5521N | NXP |
获取价格 |
LVDT signal conditioner |
|
| NE552R479A | CEL |
获取价格 |
NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
|
| NE552R479A-T1 | RENESAS |
获取价格 |
S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 79A, 4 PIN |
|
| NE552R479A-T1 | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
|
| NE552R479A-T1A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
|
| NE552R479A-T1A-A | CEL |
获取价格 |
NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
|
| NE552R479A-T1A-A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
|
| NE552R679A | NEC |
获取价格 |
3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
