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NE552R479A-T1A

更新时间： 2024-09-23 14:35:15
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 226K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN

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NE552R479A-T1A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：MICROWAVE, R-XQMW-F4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.08
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：6 V最大漏极电流 (ID)：0.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：S BAND
JESD-30 代码：R-XQMW-F4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：FLAT
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NE552R479A-T1A 数据手册

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NEC's 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND  
MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET  
NE552R479A  
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)  
FEATURES  
• LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE  
• HIGH OUTPUT POWER: +26 dBm TYP at VDS = 3.0 V  
• HIGH LINEAR GAIN: 11 dB TYP @ 2.45 GHz  
• SINGLE SUPPLY: 2.8 to 6 V  
PACKAGE OUTLINE 79A  
(Bottom View)  
4.ꢀ1MAX.  
Source  
ꢁ.5 0.ꢀ  
Source  
• SURFACE MOUNT PACKAGE: 5.7x5.7x1.1 mm MAX  
Gate  
Drain  
Gate  
Drain  
0.4 0.ꢁ5  
5.71MAX.  
0.81MAX.  
3.6 0.ꢀ  
DESCRIPTION  
APPLICATIONS  
NEC's NE552R479A is an N-Channel silicon power laterally  
diffused MOSFET specially designed as the transmission  
power ampliÞer for mobile and Þxed wireless applications.  
Die are manufactured using NEC's NEWMOS2 technology  
(NEC's 0.6 µm WSi gate lateral MOSFET) and housed in a  
surface mount package.  
• DIGITAL CELLULAR PHONES:  
3.0 V GSM1900 Pre Driver  
• ANALOG CELLULAR PHONES:  
2.4 V AMPS Handsets  
• OTHERS:  
W-LAN  
Short Range Wireless  
Retail Business Radio  
Special Mobile Radio  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER  
NE552R479A  
79A  
PACKAGE OUTLINE  
SYMBOLS  
POUT  
GL  
CHARACTERISTICS  
UNITS  
dBm  
dB  
%
A
MIN  
TYP  
26.0  
11.0  
45  
MAX  
TEST CONDITIONS  
Output Power  
Linear Gain  
Power Added EfÞciency  
Drain Current  
24.0  
f = 2.45 GHz, VDS = 3.0 V,  
IDSQ = 200 mA (RF OFF)  
Pin = 19 dBm, except  
ηADD  
ID  
35  
Pin = 10 dBm for linear gain  
230  
IGSS  
Gate-to-Source Leakage Current  
Saturated Drain Current  
(Zero Gate Voltage Drain Voltage)  
nA  
nA  
100  
100  
VGS = 5.0 V  
VDS = 6.0 V  
IDSS  
VTH  
gm  
Gate Threshold Voltage  
Transconductance  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Thermal Resistance  
V
S
V
1
1.4  
0.4  
18  
1.9  
VDS = 3.5 V, IDS = 1 mA  
VDS = 3.5 V, IDS = 100 mA  
IDSS = 10 µA  
BVDSS  
RTH  
15  
°C/W  
10  
Channel-to-Case  
Notes:  
1. DC performance is tested 100%. Several samples per wafer are tested for RF performance. Wafer rejection criteria for standard devices is 1  
reject for several samples.  
California Eastern Laboratories  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NE552R479A-T1A-A CEL

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 		NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
NE552R679A NEC

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 		3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS
NE552R679A-A NEC

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
NE552R679A-T1 NEC

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 		3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS
NE552R679A-T1A NEC

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 		3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS
NE552R679A-T1A-A NEC

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 		暂无描述
NE55301R+/-.1% VISHAY

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 		Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 301ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
NE55301R+/-.5% VISHAY

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 		Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 301ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
NE55309R+/-.25% VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 309ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,

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