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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 18 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.82 |
| 转换器类型： | SIGNAL CONDITIONER | JESD-30 代码： | R-GDIP-T18 |
| 长度： | 22.82 mm | 最大负电源电压： | -10 V |
| 最小负电源电压： | -2.5 V | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 18 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大供电电压： | 10 V |
| 最小供电电压： | 2.5 V | 表面贴装： | NO |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE5521K0+/-.25% | VISHAY |
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Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 21000ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, |
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| NE5521N | NXP |
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LVDT signal conditioner |
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| NE552R479A | CEL |
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NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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| NE552R479A-T1 | RENESAS |
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S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 79A, 4 PIN |
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| NE552R479A-T1 | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| NE552R479A-T1A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| NE552R479A-T1A-A | CEL |
获取价格 |
NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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| NE552R479A-T1A-A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| NE552R679A | NEC |
获取价格 |
3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS |
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| NE552R679A-A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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