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NE552R479A-T1A-A

更新时间： 2024-09-23 20:06:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	67K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN

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NE552R479A-T1A-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MICROWAVE, R-XQMW-F4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	6 V	最大漏极电流 (ID)：	0.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-XQMW-F4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NE552R479A-T1A-A 数据手册

DATA SHEET

SILICON POWER MOS FET

NE552R479A

3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET

FOR 2.45 GHz 0.4 W TRANSMISSION AMPLIFIERS

DESCRIPTION

The NE552R479A is an N-channel silicon power laterally diffused MOS FET specially designed as the

transmission power amplifier for 3.0 V WLL products. Dies are manufactured using our NEWMOS2 technology (our

WSi gate laterally diffused MOS FET) and housed in a surface mount package. This device can deliver 26.0 dBm

output power with 45% power added efficiency at 2.45 GHz under the 3.0 V supply voltage.

FEATURES

•

High output power

: P^out= 26.0 dBm TYP. (V^DS= 3.0 V, I^Dset= 200 mA, f = 2.45 GHz, Pⁱⁿ= 19 dBm)

High power added efficiency : η^add= 45% TYP. (V^DS= 3.0 V, I^Dset= 200 mA, f = 2.45 GHz, Pⁱⁿ= 19 dBm)

High linear gain

: G^L= 11 dB TYP. (V^DS= 3.0 V, I^Dset= 200 mA, f = 2.45 GHz, Pⁱⁿ= 10 dBm)

: 5.7 × 5.7 × 1.1 mm MAX.

Surface mount package

Single supply

: V^DS= 2.8 to 6.0 V

APPLICATIONS

• Digital cellular phones

• Analog cellular phones

• Bluetooth^TMapplications

• Others

: 3.0 V GSM1900 Pre Driver

: 2.8 V AMPS Handsets

: 3.0 V Class 1 Devices

: 3.0 V Two-Way Pagers

ORDERING INFORMATION

Part Number

Package

79A

Marking

Supplying Form

• 12 mm wide embossed taping

NE552R479A-T1

• Gate pin face the perforation side of the tape

• Qty 1 kpcs/reel

NE552R479A-T1A

• 12 mm wide embossed taping

• Gate pin face the perforation side of the tape

• Qty 5 kpcs/reel

Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

Part number for sample order: NE552R479A

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10124EJ03V0DS (3rd edition)

Date Published July 2003 CP(K)

Printed in Japan

The mark shows major revised points.



NEC Compound Semiconductor Devices 2001, 2003

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE552R679A	NEC	获取价格	3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS
NE552R679A-A	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel
NE552R679A-T1	NEC	获取价格	3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS
NE552R679A-T1A	NEC	获取价格	3.0 V OPERATION SILICON RF POWER LD-MOS FET FOR 460 MHz 0.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS
NE552R679A-T1A-A	NEC	获取价格	暂无描述
NE55301R+/-.1%	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 301ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
NE55301R+/-.5%	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 301ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
NE55309R+/-.25%	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 309ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
NE5530F	PHILIPS	获取价格	Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, CDIP14
NE5530F-A	PHILIPS	获取价格	Operational Amplifier, 2 Func, BIPolar, CDIP14

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