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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE5521D | NXP |
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LVDT signal conditioner |
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| NE5521D-T | ETC |
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LVDT Conditioner |
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| NE5521F | NXP |
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IC SIGNAL CONDITIONER, CDIP18, CERDIP-18, Position Converter |
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| NE5521K0+/-.25% | VISHAY |
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Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 21000ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, |
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| NE5521N | NXP |
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LVDT signal conditioner |
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| NE552R479A | CEL |
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NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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| NE552R479A-T1 | RENESAS |
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S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, 79A, 4 PIN |
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| NE552R479A-T1 | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| NE552R479A-T1A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic |
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| NE552R479A-T1A-A | CEL |
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NECs 3.0 V, 0.25 W L&S-BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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