5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> NE5520279A-A
NE5520279A-A PDF预览

NE5520279A-A

更新时间： 2024-11-26 13:11:59
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
7页 167K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 79A, 4 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

NE5520279A-A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：MICROWAVE, R-XQMW-F4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.03
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：6 V最大漏极电流 (ID)：1 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-XQMW-F4JESD-609代码：e6
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：FLAT
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NE5520279A-A 数据手册

 浏览型号NE5520279A-A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NE5520279A-A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NE5520279A-A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NE5520279A-A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NE5520279A-A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NE5520279A-A的Datasheet PDF文件第7页 
NEC'S 3.2 V, 2 W, L&S BAND  
MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET  
NE5520279A  
FEATURES  
OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm)  
• LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE:  
5.7x5.7x1.1 mm MAX  
• HIGH OUTPUT POWER:  
+32 dBm TYP  
PACKAGE OUTLINE 79A  
(Bottom View)  
4.ꢀ1MAX.  
Source  
ꢁ.5 0.ꢀ  
Source  
• HIGH LINEAR GAIN:  
Gate  
Drain  
Gate  
Drain  
10 dB TYP @ 1.8 GHz  
• HIGH POWER ADDED EFFICIENCY:  
45% TYP at 1.8 GHz  
• SINGLE SUPPLY:  
2.8 to 6.0 V  
0.4 0.ꢁ5  
5.71MAX.  
0.81MAX.  
3.6 0.ꢀ  
DESCRIPTION  
APPLICATIONS  
NEC's NE5520279A is an N-Channel silicon power laterally  
diffused MOSFET specially designed as the power ampliÞer  
for mobile and Þxed wireless applications. Die are manu-  
factured using NEC's NEWMOS technology (NEC's 0.6 µm  
WSi gate lateral MOSFET) and housed in a surface mount  
package.  
• DIGITAL CELLULAR PHONES:  
3.2 V DCS1800 Handsets  
• 0.7-2.5 GHz FIXED WIRELESS ACCESS  
• W-LAN  
• SHORT RANGE WIRELESS  
• RETAIL BUSINESS RADIO  
• SPECIAL MOBILE RADIO  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)  
PART NUMBER  
NE5520279A  
79A  
PACKAGE OUTLINE  
SYMBOLS  
POUT  
GL  
CHARACTERISTICS  
UNITS  
dBm  
dB  
%
mA  
nA  
MIN  
TYP  
32.0  
10  
45  
800  
MAX  
TEST CONDITIONS  
Output Power  
Linear Gain  
Power Added EfÞciency  
Drain Current  
Gate-to-Source Leakage Current  
30.5  
f = 1.8 GHz, VDS = 3.2 V,  
IDSQ = 700 mA, PIN = 25 dBm, except  
PIN = 5 dBm for Linear Gain  
ηADD  
ID  
40  
IGSS  
100  
100  
VGS = 5.0 V  
VDS = 6.0 V  
IDSS  
Saturated Drain Current  
(Zero Gate Voltage Drain Current)  
nA  
VTH  
gm  
Gate Threshold Voltage  
Transconductance  
Drain-to-Source Breakdown Voltage  
Thermal Resistance  
V
S
V
1.0  
15  
1.4  
1.3  
18  
1.9  
VDS = 3.5 V, IDS = 1 mA  
VDS = 3.5 V, IDS = 700 mA  
IDSS = 10 µA  
BVDSS  
RTH  
°C/W  
8
Channel-to-Case  
Notes:  
1. DC performance is 100% testing. RF performance is testing several samples per wafer.  
Wafer rejection criteria for standard devices is 1 reject for several samples.  
2. Pin = 5 dBm  
California Eastern Laboratories  
1234567

中文翻译

下载PDF

与NE5520279A-A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NE5520279A-T1 NEC

获取价格

 		NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
NE5520279A-T1A NEC

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
NE5520279A-T1-A CEL

获取价格

 		3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
NE5520379A NEC

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
NE5520379A CEL

获取价格

 		NECs 3.2V, 3W, L/S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
NE5520379A-A NEC

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
NE5520379A-T1 CEL

获取价格

 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semic
NE5520379A-T1A CEL

获取价格

 		暂无描述
NE5520379A-T1A-A CEL

获取价格

 		NECs 3.2V, 3W, L/S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
NE5521 NXP

获取价格

 		LVDT signal conditioner

与NE5520279A-A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证