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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | MICROWAVE, R-XQMW-F4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.63 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 15 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-XQMW-F4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROWAVE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | QUAD |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE5520379A-T1A | CEL |
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暂无描述 |
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| NE5520379A-T1A-A | CEL |
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NECs 3.2V, 3W, L/S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET |
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| NE5521 | NXP |
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LVDT signal conditioner |
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| NE55210K+/-.25% | VISHAY |
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Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 210000ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, |
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| NE55210K+/-.5% | VISHAY |
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Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 210000ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, |
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| NE55210R+/-.5% | VISHAY |
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Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 210ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, |
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| NE55215K+/-.1% | VISHAY |
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Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 215000ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, |
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| NE55215K+/-1% | VISHAY |
获取价格 |
Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 215000ohm, 250V, 1% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, |
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| NE55215R+/-.1% | VISHAY |
获取价格 |
Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 215ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, |
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| NE55215R+/-.25% | VISHAY |
获取价格 |
Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 215ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel, |
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