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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> NE5520379A-T1A-A
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NE5520379A-T1A-A

更新时间： 2024-11-27 22:35:07
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9页 392K
描述
NECs 3.2V, 3W, L/S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET

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NE5521 NXP

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NE55210K+/-.25% VISHAY

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 		Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 210000ohm, 250V, 0.25% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
NE55210K+/-.5% VISHAY

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 		Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 210000ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
NE55210R+/-.5% VISHAY

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 		Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 210ohm, 250V, 0.5% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
NE55215K+/-.1% VISHAY

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 		Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 215000ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
NE55215K+/-1% VISHAY

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 		Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 215000ohm, 250V, 1% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
NE55215R+/-.1% VISHAY

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 		Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 215ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, -25,25ppm/Cel,
NE55215R+/-.25% VISHAY

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NE5521D NXP

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 		LVDT signal conditioner
NE5521D-T ETC

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