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FLL400IP-3

更新时间： 2024-02-24 09:20:09
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4页 218K
描述
L-Band Medium & High Power GaAs FET

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FLL400IP-3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (ID)：8 A
FET 技术：JUNCTION最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F4元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FLL400IP-3 数据手册

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FLL400IP-3  
L-Band Medium & High Power GaAs FET  
FEATURES  
• Push-Pull Configuration  
• High Power Output: 35W (Typ.)  
• High PAE: 43% (Typ.)  
• Broad Frequency Range: 2300 to 2500 MHz.  
• Suitable for class A operation at 10V  
and class AB operation at 12V  
DESCRIPTION  
The FLL400IP-3 is a 35 Watt GaAs FET that employs a push-pull design that  
offers ease of matching, greater consistency and a broader bandwidth for high  
power S-band amplifiers. This product is targeted to reduce the size and  
complexity of highly linear, high power base station transmitting amplifiers.  
This new product is uniquely suited for use in Wireless Local Loop (WLL) base  
station amplifiers as it offers high gain, long term reliability and ease of use.  
Eudyna’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Rating  
Unit  
15  
-5  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
V
V
V
V
DS  
GS  
Tc = 25°C  
107  
P
W
°C  
°C  
T
T
-65 to +175  
+175  
stg  
T
ch  
Eudyna recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 12 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 54.4 and -17.4 mA respectively with  
gate resistance of 25Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 145°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limits  
Typ.  
Item  
Drain Current  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
16  
-
V
V
= 5V, V = 0V  
GS  
I
-
-
12  
A
mS  
V
DS  
DSS  
= 5V, I  
= 7.2A  
Transconductance  
Pinch-Off Voltage  
gm  
6000  
DS  
DS  
V
p
V
I
= 5V, I = 720mA -1.0  
-2.0 -3.5  
DS  
DS  
V
GSO  
= -720µA  
Gate-Source Breakdown Voltage  
Output Power at 1 dB G.C.P.  
Power Gain at 1 dB G.C.P.  
Drain Current  
-5  
-
-
-
V
dBm  
dB  
A
GS  
P
1dB  
44.5 45.5  
V
= 12V  
DS  
8.0  
-
9.0  
6.0  
-
G
I
1dB  
f = 2.5 GHz  
= 2A  
8.0  
DSR  
I
DS  
η
-
-
Power-Added Efficiency  
43  
%
-
-
add  
1dB  
V = 10V  
DS  
Output Power at 1 dB G.C.P.  
P
44.5  
dBm  
f = 2.5 GHz  
= 5A (Note 1)  
Power Gain at 1 dB G.C.P.  
Thermal Resistance  
CASE STYLE: IP  
G
-
-
9.0  
1.0  
-
dB  
I
DS  
1dB  
R
Channel to Case  
1.4  
°C/W  
th  
G.C.P.: Gain Compression Point  
Note 1: The device shall be measured at a constant V  
condition.  
GS  
Edition 1.5  
October 2004  
1
1234

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