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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> FLL410IK-4C
FLL410IK-4C PDF预览

FLL410IK-4C

更新时间： 2024-01-26 06:56:35
品牌 Logo 应用领域
富士通 - FUJITSU 晶体射频场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
6页 247K
描述
L-Band High Power GaAs FET

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FLL410IK-4C 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：12 V最大漏极电流 (ID)：8.7 A
FET 技术：JUNCTION最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

FLL410IK-4C 数据手册

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FLL410IK-4C  
L-Band High Power GaAs FET  
FEATURES  
・High Output Power: Pout=46.0dBm(Typ.)  
・High Gain: GL=11.5dB(Typ.)  
・High PAE: ηadd=44%(Typ.)  
・Broad Band: 3.4~3.7GHz  
・Hermetically Sealed Package  
DESCRIPTION  
The FLL410IK-4C is a partially matched 40 Watt GaAs FET that is  
designed for use in 3.4 – 3.7 GHz band amplifiers. This new product  
is uniquely suited for use in WLL applications as it offers excellent  
linearity, high efficiency, high gain, long term reliability and ease of use.  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Case Temperature Tc=25oC)  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-Source Voltage  
VDS  
15  
V
V
Gate-Source Voltage  
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
VGS  
PT  
-5  
107.0  
W
-65 to +175  
175  
oC  
oC  
Tstg  
Tch  
RECOMMENDED OPERATING CONDITION(Case Temperature Tc=25oC)  
Condition  
Limit  
≤12  
Item  
Symbol  
VDS  
Unit  
DC Input Voltage  
V
mA  
Gate Current  
IGF  
RG=5Ω  
RG=5Ω  
≤117  
≥-23  
≤145  
IGR  
Gate Current  
mA  
oC  
Operating Channel Temperature  
Tch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature Tc=25oC)  
Limit  
Typ.  
4.0  
-0.3  
-
Test Conditions  
Item  
Symbol  
Unit  
Min.  
Max.  
VDS=5V , VGS=0V  
VDS=5V , IDS=100mA  
IGS=-1.0mA  
-
-
A
V
V
Drain Current  
Pinch-off Voltage  
Gate-Source Breakdown Voltage  
IDSS  
Vp  
VGSO  
POUT  
GL  
-0.1  
-5.0  
45.0  
10.5  
-0.5  
-
-
-
Output Power  
Linear Gain *  
46.0  
11.5  
dBm  
dB  
VDS=12V  
f=3.6 GHz  
IDS=3A  
1
Drain Current  
Idsr  
ηadd  
Rth  
-
-
6.7  
44  
8.7  
-
A
%
Pin=36.0dBm  
Power-added Efficiency  
Thermal Resistance  
oC/W  
-
1.0  
1.4  
Channel to Case  
*１：GL is measured at Pin=22.0dBm  
CASE STYLE: IK  
ESD  
Class Ⅲ  
2000Vꢀ~  
Note : Based on EIAJ ED-4701 C-111A(C=100pF, R=1.5kΩ)  
Edition 1.1  
1
Oct 2003  
123456

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