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FLL357ME

更新时间： 2024-01-30 04:56:15
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EUDYNA 晶体晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
4页 82K
描述
L-Band Medium & High Power GaAs FET

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FLL357ME 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.39
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：15 V
FET 技术：JUNCTION最高频带：L BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2元件数量：1
端子数量：2工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE

FLL357ME 数据手册

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FLL357ME  
L-Band Medium & High Power GaAs FET  
FEATURES  
• High Output Power: P  
=35.5dBm (Typ.)  
1dB  
• High Gain: G  
=11.5dB (Typ.)  
=46% (Typ.)  
1dB  
• High PAE: η  
add  
• Proven Reliability  
• Hermetically Sealed Package  
DESCRIPTION  
The FLL357ME is a Power GaAs FET that is specifically designed to  
provide high power at L-Band frequencies with gain, linearity and  
efficiency superior to that of silicon devices. The performance in  
multitone environments for Class AB operation make them ideally suited  
for base station applications. This device is assembled in hermetic  
metal/ceramic package.  
Fujitsu’s stringent Quality Assurance Program assures the highest  
reliability and consistent performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Item  
Symbol  
Condition  
Unit  
Rating  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
15  
-5  
V
V
DS  
GS  
T = 25°C  
c
Total Power Dissipation  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
P
T
15  
-65 to +175  
175  
W
°C  
°C  
tot  
stg  
T
ch  
Fujitsu recommends the following conditions for the reliable operation of GaAs FETs:  
1. The drain-source operating voltage (V ) should not exceed 10 volts.  
DS  
2. The forward and reverse gate currents should not exceed 19.4 and -2.0 mA respectively with  
gate resistance of 100Ω.  
3. The operating channel temperature (T ) should not exceed 145°C.  
ch  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ambient Temperature Ta=25°C)  
Limit  
Typ.  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Unit  
Min.  
Max.  
V
V
V
I
= 5V, V  
= 0V  
GS  
Saturated Drain Current  
Transconductance  
I
-
1200 1800  
mA  
DS  
DS  
DS  
DSS  
g
-
= 5V, I  
= 800mA  
= 60mA  
600  
m
-
mS  
V
DS  
Pinch-off Voltage  
V
= 5V, I  
DS  
-1.0  
-2.0 -3.5  
p
Gate Source Breakdown Voltage  
V
-
-
= -60µA  
-5  
V
GSO  
GS  
Output Power at 1dB G.C.P.  
P
1dB  
34.5 35.5  
10.5 11.5  
-
dBm  
V
= 10V  
DS  
I
≈ 0.6I  
DS  
DSS (Typ.),  
-
Power Gain at 1dB G.C.P.  
Power-added Efficiency  
G
dB  
1dB  
f = 2.3GHz  
η
-
-
-
46  
%
add  
R
10  
Thermal Resistance  
Channel to Case  
7.5  
°C/W  
th  
G.C.P.: Gain Compression Point  
CASE STYLE: ME  
Edition 1.1  
July 1999  
1
1234

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