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FLL357ME

更新时间： 2024-01-21 00:42:48

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描述
L-Band Medium & High Power GaAs FET

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FLL357ME 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.39
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	15 V
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE

FLL357ME 数据手册

FLL357ME

L-Band Medium & High Power GaAs FET

+90°

+j50

+j100

0.5 GHz

+j25

5 GHz

4.5

+j250

3.5

+j10

1.5

2.5

0.5

50Ω

100

250

180°

0°

1.5

0.5 GHz

SCALE FOR |S

.02

.04

.06

-j10

-j250

0.5 GHz

-j25

.08

-j100

-90°

-j50

S-PARAMETERS

= 10V, I

= 720mA

S21

FREQUENCY

(MHZ)

S11

S12

S22

MAG

.890

.881

.883

.882

.879

.872

.858

.826

.768

ANG

MAG

7.584

3.963

2.747

2.099

1.708

1.515

1.304

1.366

1.223

1.303

ANG

103.7

94.3

90.3

87.5

87.1

86.2

86.6

84.3

81.5

76.6

MAG

.019

.020

.022

.023

.027

.028

.039

.044

.052

.074

ANG

30.4

MAG

ANG

-167.0

-167.5

-168.0

-168.1

-168.9

-170.5

-172.9

-175.1

-179.1

175.1

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

4000

4500

5000

-149.0

-169.3

-179.0

173.9

168.1

162.5

156.7

149.8

140.4

126.9

.427

.461

.491

.529

.560

.592

.613

.624

.639

36.9

50.9

64.9

81.5

94.6

103.3

111.8

111.2

120.7

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