Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> NE650R279A-T1

NE650R279A-T1

更新时间： 2024-01-13 13:51:30

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体射频场效应晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	79K
描述
0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET

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NE650R279A-T1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MICROWAVE, R-XQMW-F4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.07
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	6 V	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-XQMW-F4	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	FLAT
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE650R279A-T1 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

N-CHANNEL GaAs MES FET

NE650R279A

0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET

DESCRIPTION

The NE650R279A is a 0.2 W GaAs MES FET designed for middle power transmitter applications for mobile

communication handset and base station systems. It is capable of delivering 0.2 watt of output power (CW) with high

linear gain, high efficiency, excellent distortion and is suitable as a driver amplifier for our NE6500379A etc.

Reliability and performance uniformity are assured by NEC’s stringent quality and control procedures.

FEATURES

•

High Output Power

High Linear Gain

: P^{O (1 dB)}= +23 dBm typ.

: 16 dB typ.

High Power Added Efficiency: 45% typ. @V^DS= 6 V, I^Dset= 50 mA, f = 1.9 GHz

ORDERING INFORMATION (PLAN)

Part Number

Package

Supplying Form

NE650R279A-T1

79A

12 mm tape width, 1 kpcs/reel

Remark To order evaluation samples, please contact your local NEC sales office.

(Part number for sample order: NE650R279A)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Operation in excess of any one of these parameters may result in permanent damage.

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

Symbol

V^DS

V^GSO

I^D

Ratings

Unit

–7

0.3

Gate Forward Current

Gate Reverse Current

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

I^GF

I^GR

2.1

P^T

T^ch

150

°C

T^stg

–65 to +150

Caution Please handle this device at static-free workstation, because this is an electrostatic sensitive

device.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. P13678EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published August 1998 N CP(K)

Printed in Japan

1998

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