是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | MICROWAVE, R-XQMW-F4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.75 | 风险等级: | 5.07 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | SOURCE |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 15 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.3 A | FET 技术: | METAL SEMICONDUCTOR |
最高频带: | S BAND | JESD-30 代码: | R-XQMW-F4 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROWAVE | 峰值回流温度(摄氏度): | 235 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
NE650R279A-A | NEC |
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暂无描述 | |
NE650R279A-T1 | NEC |
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0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET | |
NE650R279A-T1-A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se | |
NE650R479A | NEC |
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0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET | |
NE650R479A-A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se | |
NE650R479A-T1 | NEC |
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0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET | |
NE650R479A-T1-A | NEC |
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暂无描述 | |
NE6510179 | CEL |
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NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET | |
NE6510179A | CEL |
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NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET | |
NE6510179A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-j |