NE6500496-A

更新时间： 2024-09-24 13:11:59

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日电电子 - NEC		/
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6页	40K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET,

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NE6500496-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	15 V
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE6500496-A 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

GaAs MES FET

NE6500496

4 W L, S-BAND POWER GaAs FET

N-CHANNEL GaAs MES FET

PACKAGE DIMENSION (UNIT: mm)

DESCRIPTION

The NE6500496 is power GaAs FET which provides high

gain, high efficiency and high output power in L, S band.

To reduce thermal resistance, the device has a PHS

(Plated Heat Sink) structure.

1.0 ± 0.1

4.0 MIN BOTHLEADS

GATE

φ2.2 ±0.3

2 SLACES

SOURCE

FEATURES

4.3 ±0.2

4.0

•

Class A operation

High output power: 36 dBm (typ)

High gain: 11.5 dB (typ)

DRAIN

High power added efficiency: 45 % (typ)

Hermetically sealed ceramic package

0.6 ±0.1

5.2 ±0.3

11.0 ±0.3

15.0 ±0.3

0.1

0.2 MAX.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 ˚C)

5.0 MAX.

Drain to Source Voltage

Gate to Drain Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

VDSX

V^GDX

V^GSX

–18

1.7 ±0.15

6.0 ±0.2

1.2

–12

4.5

Gate Current

I^G

˚C

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

Temperature Cycling

P^T(*)

Tch

175

T^stg

T∞

–65 to +175

–40 to +120

* T^C= 25 ˚C

Caution Please handle this device at a static-free workstation, because this is an electrostatic sensitive

device.

Document No. P10971EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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