NE6501077

更新时间： 2024-11-13 22:29:07

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描述
10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET

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NE6501077 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	15 V
最大漏极电流 (ID)：	9 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：	S BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

NE6501077 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

GaAs MES FET

NE6501077

10 W L, S-BAND POWER GaAs FET

N-CHANNEL GaAs MES FET

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS (UNIT: mm)

The NE6501077 is power GaAs FET which provides

high gain, high efficiency and high output power in L, S

band.

17.5 ±0.5

14.3

1.0 ±0.1

To reduce thermal resistance, the device has a PHS

(Plated Heat Sink) structure.

GATE

SOURCE

FEATURES

2.5

6.35 ±0.4

•

Class A operation

High output power: 39.5 dBm (typ)

High gain: 10.5 dB (typ)

R1.25, 2 PLACES

4.0 MIN BOTH

LEADS

DRAIN

High power added efficiency: 40 % (typ)

Hermetically sealed ceramic package

+0.06

–0.02

0.1

8.9 ±0.4

3.8 MAX.

1.0

2.26 ±0.4

0.2 MAX.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

Drain to Source Voltage

Gate to Drain Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

VDSX

VGDX

V^GSX

I^D

–18

–12

9.0

Gate Current

˚C

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

Temperature Cycling

* T^C= 25 ˚C

P^T(*)

Tch

175

Tstg

T∞

–65 to +175

–40 to +120

Caution Please handle this device at a static-free workstation, because this is an electrostatic sensitive

device.

Document No. P10978EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

1996

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