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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.68 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 6 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.8 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | S BAND |
| JESD-30 代码： | R-CQMW-F4 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROWAVE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE6510379A | NEC |
获取价格 |
3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET |
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| NE6510379A-A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-j |
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| NE6510379A-T1 | NEC |
获取价格 |
3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET |
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| NE6510379A-T1-A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-j |
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| NE651R479A | CEL |
获取价格 |
MEDIUM POWER GaAs HJ-FET |
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| NE651R479A | NEC |
获取价格 |
0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET |
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| NE651R479A-A | CEL |
获取价格 |
MEDIUM POWER GaAs HJ-FET |
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| NE651R479A-T1 | NEC |
获取价格 |
0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET |
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| NE651R479A-T1-A | CEL |
获取价格 |
MEDIUM POWER GaAs HJ-FET |
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| NE661M04 | CEL |
获取价格 |
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
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