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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> NE6510379A
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NE6510379A

更新时间： 2024-02-16 18:37:48
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体射频场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
8页 99K
描述
3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET

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NE6510379A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：79A, 4 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.65外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：6 V
最大漏极电流 (ID)：4.2 AFET 技术：HETERO-JUNCTION
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-CQMW-F4
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROWAVE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

NE6510379A 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
N-CHANNEL GaAs HJ-FET  
NE6510379A  
3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET  
DESCRIPTION  
The NE6510379A is a 3 W GaAs HJ-FET designed for middle power transmitter applications for mobile  
communication systems. It is capable of delivering 3 watt of output power (1/3 Duty pulse operation) with high linear  
gain, high efficiency and excellent distortion.  
Reliability and performance uniformity are assured by NEC’s stringent quality and control procedures.  
FEATURES  
•
•
GaAs HJ-FET Structure  
High Output Power  
:
P
O
O
= +35 dBm typ. @VDS = 3.5 V, IDset = 200 mA, f = 900 MHz, Pin = +24 dBm, 1/3 duty  
= +32.5 dBm typ. @VDS = 3.5 V, IDset = 200 mA, f = 1.9 GHz, Pin = +26 dBm, 1/3 duty  
P
•
•
High Linear Gain  
: GL = 13 dB typ. @VDS = 3.5 V, IDset = 200 mA, f = 900 MHz, Pin = 0 dBm, 1/3 duty  
GL = 8 dB typ. @VDS = 3.5 V, IDset = 200 mA, f = 1.9 GHz, Pin = 0 dBm, 1/3 duty  
High Power Added Efficiency: 58% typ. @VDS = 3.5 V, IDset = 200 mA, f = 900 MHz, Pin = +24 dBm, 1/3 duty  
52% typ. @VDS = 3.5 V, IDset = 200 mA, f = 1.9 GHz, Pin = +26 dBm, 1/3 duty  
ORDERING INFORMATION (PLAN)  
Part Number  
Package  
Supplying Form  
NE6510379A-T1  
79A  
12 mm tape width, 1 kpcs/reel  
Remark To order evaluation samples, please contact your local NEC sales office.  
(Part number for sample order: NE6510379A)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
Operation in excess of any one of these parameters may result in permanent damage.  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
Symbol  
VDS  
VGSO  
ID  
Ratings  
Unit  
V
6
–4  
V
4.2  
A
Gate Forward Current  
Gate Reverse Current  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
IGF  
38  
38  
mA  
mA  
W
IGR  
PT  
18  
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
–65 to +150  
Caution Please handle this device at static-free workstation, because this is an electrostatic sensitive  
device.  
The information in this document is subject to change without notice.  
Document No. P13677EJ1V0DS00 (1st edition)  
Date Published August 1998 N CP(K)  
Printed in Japan  
©
1998  
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
NE6510379A-A NEC RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-j

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