Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> NE6510379A-T1

NE6510379A-T1

更新时间： 2024-11-13 22:27:03

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体射频场效应晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
8页	99K
描述
3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET

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NE6510379A-T1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	79A, 4 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	6 V	最大漏极电流 (ID)：	4.2 A
FET 技术：	HETERO-JUNCTION	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	R-CQMW-F4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROWAVE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

NE6510379A-T1 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

N-CHANNEL GaAs HJ-FET

NE6510379A

3 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET

DESCRIPTION

The NE6510379A is a 3 W GaAs HJ-FET designed for middle power transmitter applications for mobile

communication systems. It is capable of delivering 3 watt of output power (1/3 Duty pulse operation) with high linear

gain, high efficiency and excellent distortion.

Reliability and performance uniformity are assured by NEC’s stringent quality and control procedures.

FEATURES

•

GaAs HJ-FET Structure

High Output Power

= +35 dBm typ. @V^DS= 3.5 V, I^Dset= 200 mA, f = 900 MHz, Pin = +24 dBm, 1/3 duty

= +32.5 dBm typ. @V^DS= 3.5 V, I^Dset= 200 mA, f = 1.9 GHz, Pin = +26 dBm, 1/3 duty

•

High Linear Gain

: G^L= 13 dB typ. @V^DS= 3.5 V, I^Dset= 200 mA, f = 900 MHz, Pin = 0 dBm, 1/3 duty

G^L= 8 dB typ. @V^DS= 3.5 V, I^Dset= 200 mA, f = 1.9 GHz, Pin = 0 dBm, 1/3 duty

High Power Added Efficiency: 58% typ. @V^DS= 3.5 V, I^Dset= 200 mA, f = 900 MHz, Pin = +24 dBm, 1/3 duty

52% typ. @V^DS= 3.5 V, I^Dset= 200 mA, f = 1.9 GHz, Pin = +26 dBm, 1/3 duty

ORDERING INFORMATION (PLAN)

Part Number

Package

Supplying Form

NE6510379A-T1

79A

12 mm tape width, 1 kpcs/reel

Remark To order evaluation samples, please contact your local NEC sales office.

(Part number for sample order: NE6510379A)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Operation in excess of any one of these parameters may result in permanent damage.

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

Symbol

V^DS

V^GSO

I^D

Ratings

Unit

–4

4.2

Gate Forward Current

Gate Reverse Current

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

I^GF

I^GR

P^T

T^ch

150

°C

T^stg

–65 to +150

Caution Please handle this device at static-free workstation, because this is an electrostatic sensitive

device.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. P13677EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published August 1998 N CP(K)

Printed in Japan

1998

12 3 4 5 6 7 8

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与NE6510379A-T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NE6510379A-T1-A	NEC	获取价格	RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Hetero-j
NE651R479A	CEL	获取价格	MEDIUM POWER GaAs HJ-FET
NE651R479A	NEC	获取价格	0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE651R479A-A	CEL	获取价格	MEDIUM POWER GaAs HJ-FET
NE651R479A-T1	NEC	获取价格	0.4 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET
NE651R479A-T1-A	CEL	获取价格	MEDIUM POWER GaAs HJ-FET
NE661M04	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE661M04	NEC	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-
NE661M04-T2	NEC	获取价格	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW CURRENT, LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-
NE661M04-T2-A	CEL	获取价格	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

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