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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 商用集成电路类型： | DOLBY NOISE REDUCTION IC |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 16 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 12 V | 子类别： | Noise Suppression ICs |
| 表面贴装： | NO | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE650R279A | NEC |
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0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET |
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| NE650R279A-A | NEC |
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暂无描述 |
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| NE650R279A-T1 | NEC |
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0.2 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET |
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| NE650R279A-T1-A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE650R479A | NEC |
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0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET |
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| NE650R479A-A | NEC |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE650R479A-T1 | NEC |
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0.4 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET |
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| NE650R479A-T1-A | NEC |
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暂无描述 |
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| NE6510179 | CEL |
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NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET |
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| NE6510179A | CEL |
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NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET |
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