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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | 79A, 4 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.65 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 15 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | S BAND | JESD-30 代码： | R-PQMW-F4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROWAVE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE6500496 | NEC |
获取价格 |
4 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE6500496_00 | NEC |
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L&S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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| NE6500496-A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE650103M | CEL |
获取价格 |
10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET |
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| NE650103M-A | CEL |
获取价格 |
10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET |
|
| NE6501077 | NEC |
获取价格 |
10 W L, S-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
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| NE6501077_00 | CEL |
获取价格 |
L/S BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
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| NE6501077-A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
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| NE650N | PHILIPS |
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Dolby Noise Reduction IC, PDIP16, |
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| NE650N-A | PHILIPS |
获取价格 |
Dolby Noise Reduction IC, PDIP16 |
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