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Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> NE6500379A-T1
NE6500379A-T1 PDF预览

NE6500379A-T1

更新时间： 2024-11-13 22:27:03
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体射频场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 90K
描述
3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET

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NE6500379A-T1 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：PLASTIC, 79A, 4 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.65
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：6 V
最大漏极电流 (ID)：5.6 AFET 技术：METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：S BANDJESD-30 代码：R-PQFP-F4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：QUAD晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

NE6500379A-T1 数据手册

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DATA SHEET  
N-CHANNEL GaAs MES FET  
NE6500379A  
3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET  
DESCRIPTION  
The NE6500379A is a 3W GaAs MESFET designed for middle power transmitter applications for mobile  
communication handset and base station systems. It is capable of delivering 3 watt of output power (CW) with high  
linear gain, high efficiency and excellent distortion. Reliability and performance uniformity are assured by NEC’s  
stringent quality and control procedures.  
FEATURES  
•
•
•
High Output Power  
High Linear Gain  
: Po (1dB) = +35 dBm typ.  
: 10 dB typ.  
High Power Added Efficiency: 50% typ. @VDS = 6 V, IDset = 500 mA, f = 1.9 GHz  
ORDERING INFORMATION  
Part Number  
Package  
Supplying Form  
NE6500379A-T1  
79A  
12 mm tape width, 1 kpcs/reel  
Remark To order evaluation samples, please contact your local NEC sales office.  
(Part number for sample order: NE6500379A)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
Operation in excess of any one of these parameters may result in permanent damage.  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current  
Symbol  
VDS  
VGSO  
ID  
Ratings  
Unit  
V
15  
–7  
V
5.6  
50  
A
Gate Current  
IG  
mA  
W
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
PT  
21  
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
–65 to +150  
Caution Please handle this device at static-free workstation, because this is an electrostatic sensitive  
device.  
The information in this document is subject to change without notice.  
Document No. P13495EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published August 1998 N CP(K)  
Printed in Japan  
The mark shows major revised points.  
©
1998  
12345678

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