5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP16,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 商用集成电路类型： | DOLBY NOISE REDUCTION IC |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 16 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP16,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 9 V | 子类别： | Noise Suppression ICs |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NE6500179A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
| NE6500179A-A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
| NE6500179A-T1 | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
| NE6500179A-T1-A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
| NE6500278 | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| NE6500379 | NEC |
获取价格 |
3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET |
|
| NE6500379A | NEC |
获取价格 |
3W L, S-BAND POWER GaAs MESFET |
|
| NE6500379A | CEL |
获取价格 |
3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
|
| NE6500379A-A | NEC |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Se |
|
| NE6500379A-T1 | CEL |
获取价格 |
3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
