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NE6500179A-T1-A

更新时间： 2024-11-14 14:54:11
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 放大器ISM频段晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 39K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, 79A, 4 PIN

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NE6500179A-T1-A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：MICROWAVE, R-XQMW-F4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.65外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：6 V
最大漏极电流 (ID)：2.5 AFET 技术：METAL SEMICONDUCTOR
最高频带：L BANDJESD-30 代码：R-XQMW-F4
JESD-609代码：e6元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROWAVE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：FLAT端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

NE6500179A-T1-A 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
N-CHANNEL GaAs MES FET  
NE6500179A  
1 W L-BAND POWER GaAs MES FET  
DESCRIPTION  
The NE6500179A is a 1 W GaAs MES FET designed for middle power transmitter applications for mobile  
communication handset and base station systems. It is capable of delivering 1 W of output power (CW) with high  
linear gain, high efficiency and excellent distortion.  
Reliability and performance uniformity are assured by NEC’s stringent quality and control procedures.  
FEATURES  
•
•
•
High output power: PO (1 dB) = 30.0 dBm TYP.  
High linear gain: GL = 12.0 dB TYP.  
High power added efficiency: ηadd = 50 % TYP. @ VDS = 6.0 V, IDset = 200 mA, f = 1.9 GHz  
ORDERING INFORMATION  
Part Number  
Package  
79A  
Supplying Form  
NE6500179A-T1  
• 12 mm wide embossed taping  
• Qty 1 kpcs/reel  
Remark To order evaluation samples, contact your nearby sales office.  
Part number for sample order: NE6500179A  
Caution Please handle this device at static-free workstation, because this is an electrostatic  
sensitive device.  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that  
this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices  
representative for availability and additional information.  
Document No. PG10021EJ01V0DS (1st edition)  
(Previous No. P15107EJ1V0DS00)  
The mark ! shows major revised points.  
NEC Corporation 1999  
NEC Compound Semiconductor Devices 2001  
Date Published November 2001 CP(K)  
Printed in Japan  
12345678

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