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MMFTP0421KE

更新时间： 2024-11-06 14:51:47

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP0421KE 数据手册

MMFTP0421KE

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification Voltage Range(V)

< 125

Source

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

-I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 10

350

Pulsed Drain Current ¹⁾

-I_DM

P_D

1.4

Power Dissipation ²⁾

250

Max Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_J

150

℃

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

500

Unit

Thermal Resistance from Juntion to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 08/08/2023 Rev:03

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