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MMFTP223KW

更新时间： 2024-11-19 14:54:31

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP223KW 数据手册

MMFTP223KW

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Low Leakage Current

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification Voltage Range(V)

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-323 Plastic Package

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• High speed switch

• Battery management

• Low power DC to DC Converter

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

± 10

390

-I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_D

250

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

500

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with minimum recommended pad layout.

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Dated: 27/04/2023 Rev:04

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