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MMFTP2301BK

更新时间： 2024-11-19 14:54:23

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2301BK 数据手册

MMFTP2301BK

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 1B

Gate

Classification Voltage Range(V)

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

< 125

Source

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 8

Continuous Drain Current

-I_D

2.8

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

900

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

139

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 20/06/2023 Rev:02

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