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MMFTP2305

更新时间： 2024-11-19 14:52:51

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2305 数据手册

MMFTP2305

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

Source

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DSS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 8

3.5

Drain Current - Continuous

-I_D

Peak Drain Current, Pulse ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

1.1

Operating Junction and Storage Temperature

T_j, T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

110

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse width limited by Max junction temperature.

²⁾Device Surface Mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate, in a still air.

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Dated: 24/07/2020 CL Rev: 03

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