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MMFTP2301

更新时间： 2024-11-19 14:55:15

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2301 数据手册

MMFTP2301

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Advanced trench cell design

Gate

Application

• Portable appliances

• Battery management

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-V_DS

V_GS

-I_D

± 10

2.8

Drain Current - Continuous

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

1.25 ²⁾

Power Dissipation

P_tot

0.8 ³⁾

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

℃

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

100 ²⁾

Thermal Resistance from Junction to Ambient

℃/W

166 ³⁾

¹⁾Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air,t ≤ 5 sec.

³⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 28/09/2022 Rev: 09

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