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MMFTP2319A

更新时间： 2024-11-22 14:55:51

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2319A 数据手册

MMFTP2319A

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

Applications

Source

SOT-23 Plastic Package

• Protable appliances

• High speed switch

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-V_DS

V_GS

-I_D

± 20

4.2

-I_DM

P_D

0.75

℃

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

Unit

t = 5 s

Steady State

100

166

Thermal Resistance-Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 26/04/2022 Rev:01

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