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MMFTP2307A

更新时间： 2024-11-19 14:51:07

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2307A 数据手册

MMFTP2307A

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

-V_DS

V_GS

-I_D

± 12

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

P_D

Power Dissipation

1.6

℃

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Thermal Resistance - Junction to Ambient ²⁾

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

t ≤ 10 s

Steady state

125

℃

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 21/04/2021 CL Rev: 03

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