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MMFTP2301BSK

更新时间： 2024-11-19 14:55:43

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2301BSK 数据手册

MMFTP2301BSK

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Advanced trench cell design

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Gate

Classification

Voltage Range(V)

< 125

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Source

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Battery management

• Portable appliances

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

± 12

Continuous Drain Current

-I_D

2.8

Pulsed Drain Current ¹⁾

-I_DM

Power Dissipation ²⁾

P_tot

900

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

140

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 09/06/2023 Z Rev:03

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