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MMFTP2301B

更新时间： 2024-11-19 14:53:03

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2301B 数据手册

MMFTP2301B

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Advanced trench cell design

Gate

Applications

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

• LCD TV appliances

• High power inverter system

Absolute Maximum Ratings at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

-V_DS

V_GS

± 8

-I_D

2.8

Peak Drain Current ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_tot

0.9

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

140

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 24/05/2023 Rev:05

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