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MMFTP2309

更新时间： 2024-11-19 14:52:23

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先科 - SWST		/
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描述
小信号金氧半電晶體

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MMFTP2309 数据手册

MMFTP2309

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Surface-mounted package

Gate

Applications

1. Gate 2. Source 3. Drain

• Portable appliances

• Battery management

Source

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings(T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

-V_DS

V_GS

-I_D

Gate-Source Voltage

± 20

1.25

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)

Power Dissipation ¹⁾

-I_DM

P_D

1.25

℃

t ≤ 10 s

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

t ≤ 10 s

Steady State

100

166

Thermal Resistance from Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 01/11/2021 Rev:05

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