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MMFTP2305AK

更新时间： 2024-11-19 14:54:03

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2305AK 数据手册

MMFTP2305AK

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• Advanced trench cell design

• Typical ESD Protection HBM Class 1B

Gate

Classification

Voltage Range(V)

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Source

1. Gate 2. Source 3. Drain

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Battery management

• High speed switch

• Portable appliances

• Low power DC to DC Converter

Absolute Maximum Ratings(T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

-V_DS

V_GS

-I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

± 12

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current (tp = 300 μs)

Power Dissipation

4.2

-I_DM

P_tot

1.38

℃

Junction Temperature

T_j

150

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

Thermal Resistance Junction to Ambient ¹⁾

℃/W

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 26/01/2021 CL Rev: 02

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