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MMFTP2333

更新时间： 2024-11-06 14:54:47

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2333 数据手册

MMFTP2333

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

Applications

Source

SOT-23 Plastic Package

• Load Switch

• Motor / Body Load Control

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-V_DS

V_GS

-I_D

± 8

Continuous Drain Current

5.1

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_D

1.25

℃

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

100

Unit

Thermal Resistance - Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 25/05/2022 Rev:03

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