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MMFTP2305B

更新时间： 2024-11-19 14:54:23

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2305B 数据手册

MMFTP2305B

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

• Advanced trench cell design

Gate

Applications

1. Gate 2. Source 3. Drain

Source

• Portable appliances

• Battery management

• High speed switch

SOT-23 Plastic Package

• Low power DC to DC Converter

Absolute Maximum Ratings(T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

-V_DS

V_GS

-I_D

± 12

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹⁾

4.2

-I_DM

P_tot

T_j

Power Dissipation ²⁾

t ≤ 10 s

1.4

℃

Junction Temperature

Storage Temperature Range

- 55 to + 150

T_stg

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Thermal Resistance Junction to Ambient ²⁾Steady State

Symbol

R_θJA

Max.

140

Unit

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 03/02/2021 CL Rev: 02

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