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MMFTP2341

更新时间： 2024-11-22 14:55:31

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP2341 数据手册

MMFTP2341

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

Drain

• Surface-mounted package

Gate

Applications

1. Gate 2. Source 3. Drain

Source

• Portable appliances

• Battery management

SOT-23 Plastic Package

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-V_DS

V_GS

-I_D

± 8

Continuous Drain Current

3.5

Pulsed Drain Current ¹⁾

-I_DM

P_D

Power Dissipation ²⁾

0.75

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j,T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

t ≤ 5 s

Steady State

100

165

Thermal Resistance - Junction to Ambient ²⁾

℃/W

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 17/01/2022 Rev:02

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