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MMFTP3098-AH

更新时间： 2024-11-06 14:50:51

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小信号金氧半電晶體

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MMFTP3098-AH 数据手册

MMFTP3098-AH

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Drain

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Surface-mounted package

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Gate

1. Gate 2. Source 3. Drain

Source

SOT-23 Plastic Package

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

-V_DS

V_GS

-I_D

± 20

3.8

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

-I_DM

Power Dissipation ²⁾

1.08

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_stg

- 55 to + 150

℃

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

115

Unit

Thermal Resistance - Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%, Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)= 150°C

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air, t ≤ 5 s.

℃

1 / 6

Dated: 24/05/2022 Rev:01

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