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MMFTP3327SK

更新时间: 2024-11-26 14:55:51
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先科 - SWST /
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6页 459K
描述
小信号金氧半電晶體

MMFTP3327SK 数据手册

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MMFTP3327SK  
P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
Features  
Drain  
• Surface-mounted package  
• Advanced trench cell design  
• Built-in G-S Protection Diode  
• Typical ESD Protection HBM Class 2  
Gate  
Classification  
Voltage Range(V)  
1. Gate 2. Source 3. Drain  
SOT-23 Plastic Package  
0A  
0B  
1A  
1B  
1C  
2
< 125  
Source  
125 to < 250  
250 to < 500  
500 to < 1000  
1000 to < 2000  
2000 to < 4000  
4000 to < 8000  
8000  
3A  
3B  
Applications  
• Portable appliances  
• Battery management  
Absolute Maximum Ratings (at Ta = 25unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
V
-VDS  
VGS  
-ID  
20  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current  
± 12  
V
3.9  
A
Peak Drain Current, Pulsed 1)  
Power Dissipation 2)  
-IDM  
PD  
7.8  
A
1
W
W
Power Dissipation 2)  
t = 10 s  
PD  
2
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Tj, Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
125  
Unit  
/W  
/W  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 2)  
Thermal Resistance from Junction to Ambient 2) t = 10 s  
1) Pulse Test: Pulse Width 100 μs, Duty Cycle 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature TJ(MAX)=150°C.  
RθJA  
62.5  
2) Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.  
1 / 6  
®
Dated: 26/05/2023 Z Rev:03  

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